Исследование распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна

Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю.
Исследование распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна

Вид документа: Стаття періодичного видання
Автор: Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Авторський знак: У74 Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С.25
Шифр: 621.396 УДК: 621.396

Аннотацiя:

арсенид-галлиевый диод Ганна, ближнеполевой сканирующий СВЧ-микроскоп, стационарный домен, уравнение Пуассона, контактный зонд, двойной электрический слой, интенсивность электрического поля

Є складовою частиною документа: Известия высших учебных заведений Радиоэлектроника