Модель переходных процессов для современных микроэлектронных устройств, применимая в ЭКВ модели р-МОП-структуры

Эль Машад М.Б., Монем А.А.
Модель переходных процессов для современных микроэлектронных устройств, применимая в ЭКВ модели р-МОП-структуры

Вид документа: Стаття періодичного видання
Рiк видання: 2021
Автор: Эль Машад М.Б., Монем А.А. Авторський знак: Э53 Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С.77-93
Шифр: 621.396 УДК: 621.396

Аннотацiя:

метод слайн-коллокации, квазистический подход, симметричная телескопическая модификация, нормализированные плотности канального заряда, ЭКВ модель р-канального МОП-транзистора

Є складовою частиною документа: Известия высших учебных заведений Радиоэлектроника