Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Ходаковский Н.И.
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Вид документа: Стаття періодичного видання
Рiк видання: 2019
Автор: Ходаковский Н.И. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С.173-181
Шифр: 519.7 УДК: 519.7

Аннотацiя:

сверхвысокая плотность записи информации, модель передачи импульсов между синапсами и структурами нейронов, запись информации на органических носителях

Є складовою частиною документа: Кибернетика и системный анализ