ЖДТУ Бібліотека Електронний каталог | ||
Сингх Ш., Мишра В. Усовершенствованная ячейка SRAM большим статистическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью с применением мемристоров 45-нм технологии Вид документа: Стаття періодичного видання Рiк видання: 2018 Автор: Сингх Ш., Мишра В. Авторський знак: С38 Вид автора: персона Мова: Російська Обсяг: С.267-274 Шифр: 621.396 УДК: 621.396
| ||
|