ЖДТУ Бібліотека Електронний каталог
 
Сингх Ш., Мишра В.
Усовершенствованная ячейка SRAM большим статистическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью с применением мемристоров 45-нм технологии

Вид документа: Стаття періодичного видання
Рiк видання: 2018
Автор: Сингх Ш., Мишра В. Авторський знак: С38 Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С.267-274
Шифр: 621.396 УДК: 621.396
Аннотацiя:напряжение шума; RSNM; WSNM; коэффициент ячейки; коэффициент нагрузки; мемристор; ячейка 7Т SRAM
Є складовою частиною документа: Известия высших учебных заведений Радиоэлектроника
Карта Сайту

© Житомирський державний технологiчний університет