Методика построения и верификация нелинейной модели ЕЕНЕМТ для GaN HEMT транзистора

Коколов А.А., Бабак Л.И.
Методика построения и верификация нелинейной модели ЕЕНЕМТ для GaN HEMT транзистора

Вид документа: Стаття періодичного видання
Рiк видання: 2015
Автор: Коколов А.А., Бабак Л.И. Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: С.3-14
Шифр: 621.396 УДК: 621.396

Аннотацiя:

СВЧ транзистор, нелинейная модель, экстракция, измерение, нагрузочная характеристика, GaN HEMT

Є складовою частиною документа: Известия высших учебных заведений Радиоэлектроника