Складові частини документа:

• Ащеулов А.А. Анизотропный термоэлектрический компаратор - с.20
• Завадский В.А. Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия - с.7
• Ажажа В.М. Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники - с.3
• Вербицкий В.Г. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС - с.48
• Николаенко Ю.Е. Охлаждение перспективных накопителей на жёстких магнитных дисках с применением тепловых труб - с.22
• Масенко Б.П. Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей - с.33
• Лепих Я.И. Электротепловой элемент сенсоров газа - с.43

Примірники
Місце збереження	Кількість	Видано
Читальний зал	1	0