Примение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризаци иих оптических свойств

Швец В.А.
Примение метода эллипсометрии in situ для контроля гетероэпитаксии широкозонных полупроводников и характеризаци иих оптических свойств

Вид документа: Стаття періодичного видання
Автор: Швец В.А. Авторський знак: Ш35 Вид автора: персона
Мова: Російська Обсяг: с.20
Шифр: 535.39 УДК: 535.39
Є складовою частиною документа: Автометрия