Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs

Москвін П.П., Скуратівський С.І.
Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs

Вид документа: Стаття періодичного видання
Рiк видання: 2018
Автор: Москвін П.П., Скуратівський С.І. Вид автора: персона
Мова: Українська Обсяг: С.232-240
Шифр: 6 УДК: 6

Аннотацiя:

гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5; спінодальний розпад; модель розпаду Канна-Хілларда; автомодуляція складу твердого розчину

Електронна версія документа: /e-copies/VISNUK/82_II/232.pdf

Є складовою частиною документа: Вісник Житомирського державного технологічного університету